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NIE-4000(M)IBE離子束刻蝕

NIE-4000(M)IBE離子束刻蝕:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-04-28
  • 訪  問  量:2793
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產(chǎn)品詳情

IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

NIE-4000(M)IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時,旋轉(zhuǎn)晶圓片以達到想要的均勻度。

NIE-4000(M)IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點:

  • 14.5”不銹鋼立體離子束腔體
  • 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板
  • 離子束中和器
  • 氬氣MFC
  • 6”水冷樣品臺
  • 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM,真空步進電機
  • 步進電機控制晶圓片傾斜
  • 手動上下載晶圓片
  • 典型刻蝕速率:銅200 ?/min, 硅:500 ?/min
  • 6”范圍內(nèi),刻蝕均勻度+/-3%
  • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別(配套500 l/s渦輪分子泵)
  • 配套1000 l/s渦輪分子泵,極限真空可達8x10-8Torr
  • 磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
  • 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
  • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護
  • 完整的安全聯(lián)鎖

 

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