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原子層沉積設(shè)備技術(shù):發(fā)展趨勢

更新時間:2020-05-20      瀏覽次數(shù):1674
  隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進,諸如“等離子體增強原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
 
  在過去二十多年,等離子體增強原子層沉積技術(shù)發(fā)展迅速。通過巧妙設(shè)計等離子體引入方式,人們已經(jīng)設(shè)計出各種等離子體增強原子層沉積設(shè)備
 
  從文獻報道來看,針對太陽能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用,一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計時間,僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個半反應(yīng)區(qū)間移動所需的時間,而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量,若能保證1s通過一個這樣規(guī)格的Si片,目前的設(shè)計*可以滿足工業(yè)化應(yīng)用需求。此外,針對柔性襯底表面沉積時,采用轉(zhuǎn)動式的反應(yīng)器設(shè)計,同樣能將沉積速率提升至1.2nm/s。
 
  原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展,無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上,都已經(jīng)取得了長足進步,在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。
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