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RIE-PE刻蝕機技術性的特點以及一些資料分析

更新時間:2017-10-19      瀏覽次數:3979
     在眾多半導體工藝中,刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一??涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行,是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點,即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕,也有不需要的橫向刻蝕,因而精度差,線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規(guī)模集成電路生產的需要而開發(fā)的精細加工技術,它具有各向異性特點,在zui大限度上保證了縱向刻蝕,還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。
    RIE-PE刻蝕機為了適應工藝發(fā)展需求,各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術來滿足工藝需求。主要有以下幾類;
    2、等離子體技術:等離子體密度和能量單獨控制。
    3、等離子體約束:減少Particle,提高結果重復性。
    4、工藝組件:適應不同工藝需求,對應不同的工藝組件,比如不同的工藝使用不同。
    1、雙區(qū)進氣的目的是通過調節(jié)內外區(qū)敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性,結果比較明顯。
    6、反應室結構設計;由200mm時的側抽,改為下抽或者側下抽。有利于提高氣流均一性。
    5、 Narrow Gap:窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層,中和晶圓上多余的離子,有利于提高刻蝕剖面陡直度。
    RIE-PE刻蝕機特點:
    1、高選擇性各向異性腐蝕,符合苛刻的制程要求。
    2、全自動"一鍵"操作*代替手動操作。
    3、易于使用的電腦觸摸屏的參數控制和配方輸入和存儲。
    4、晶圓尺寸達8"英寸直徑,圓滑、緊湊的設計使用zui少的潔凈室空間。
    5、RIE-PE刻蝕機設計用于蝕刻氮化物、氧化物和任意需要氟基化學的薄膜或基片。其安裝在節(jié)省空間的平臺上的模塊化設計,使其成為*許多用戶的系統(tǒng)。
    6、選項:ICP(電感耦合等離子)、渦淪泵、帶背側氦冷卻系統(tǒng)和端點檢測系統(tǒng)的靜電吸盤等。
    7、產品已全面開發(fā)出各種工藝,RIE-PE刻蝕機用于對使用氟基化學的材料進行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括:碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢。
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